SJ-MOSFET拥有较小的结电容,低导通内阻,所以可以适应更高速的开关电源,提高电 源效率,降低系统成本,实现电源小型化。
SJ-MOSFET产品的高温漏电(IDSS)特性,主要与产品工艺类型有关,受产品规格、芯 片大小、工艺代数的影响相对较小。
超致半导体的SJ-MOSFET产品,与国际主流多层外延工艺产品的高温漏电特性基本一致, 而且明显低于采用Deep-Trench工艺的产品。
高温漏电特性的良好表现,有助于超致半导体的SJ-MOSFET产品在长时间工作条件下, 保证可靠性和稳定性。
超致SJ-MOSFET拥有比较全的型号,电压等级覆盖500V,600V,650V,700V,800V,900V;
电流等级覆盖2A,5A,7A,10A,11A,15A,20A,30A,47A等全系列产品。
图片仅供参考 业务咨询 13352985885 张天成
超致SJ-MOSFET 的第一代产品,性能和可靠性接近英飞凌C3,动态特性接近C6,能
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