电子、电品产品生产制作需要用到各种类型的电子元器件，如超致MOS管、电阻、电容、继电器等，每种电子元器件在各种电子、电器类产品中有不同的作用，今天来讲其中一种电元器件的选型，接下来看看 超致MOS管怎么选型，需要从哪些方面去了解。

    场效应晶体管分为PMOS晶体管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）晶体管，属于绝缘栅场效应晶体管。

    超致MOS管可以做可变电阻，也可以做放大用，由于场效应管放大器具有很高的输入阻抗，耦合电容可以很小，不需要使用电解电容。另外，场效应管的高输入阻抗使其非常适合做阻抗变换。常用于多级放大器输入级的阻抗变换。场效应晶体管可方便地用作恒流源或电子开关。一些场效应晶体管的源极和漏极可以互换使用，栅极电压也可以正负，比晶体管更灵活。场效应管可以在非常小的电流和非常低的电压条件下工作，其制造工艺使得很容易将许多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管可以大规模使用，广泛应用于集成电路。

    在一般的电子电路中，它们通常用于放大电路和开关电路中。在主板的电源稳压电路中，MOSFET的作用主要是判断电位，在主板上常用“Q”加一个数字来表示。

    超致MOS管的选择是一个非常重要的环节，错误选择超致MOS管会影响整个电路的效率和成本，给工程师带来很多问题。

    1 步：选择 N 沟道或 P 沟道

    为您的设计选择正确器件的开始一步是决定是使用 N 沟道还是 P 沟道 MOS 晶体管。

    在典型的电源应用中，当 MOS 晶体管接地且负载连接到电源电压时，MOS 晶体管形成低侧开关。考虑到关闭或打开器件所需的电压，低侧开关应使用 N 沟道 MOS 晶体管。如果把超致MOS管接到汇流排上，负载接地，就用高压侧开关。P 沟道 MOS 晶体管通常用于此拓扑，同样是出于电压驱动方面的考虑。

    2 步：确定额定电流

    根据电路配置的不同，这个额定电流应该是负载在很多情况下所能承受的很大电流。与电压一样，选择的超致MOS管需要能够承受这个额定电流，即使系统产生峰值电流，当前考虑的两种情况是连续模式和脉冲尖峰，在连续导通模式下，MOS 晶体管处于稳定状态，电流连续流过器件，一旦确定了这些条件，剩下的就是直接选择能够承受很大电流的器件。

    3 步：确定散热要求

    选择超致MOS管还需要计算两个系统的散热要求：worst case和real case，假设坏的结果提供了更大的安全边际，并确保系统不会失败。

    4 步：确定开关性能

    选择超致MOS管到这一步是确定超致MOS管的开关性能，影响开关性能的参数有很多，但重要的是栅极/漏极、栅极/源极和漏极/源极电容。每次发生开关时，这些电容器都会充电，从而导致设备中的开关损耗。因此，超致MOS管的开关速度降低，器件的效率也降低。

    综合上述，相信大家对于超致MOS管选型有了大概的了解，如额定电流、散热要求、开关性能等，在选择的时候可以参考本文的建议。