超致MOS管主要由载流子导电，也称为单极晶体管。属于压控半导体器件。具有输入电阻高（10M~1000MΩ）、噪声低、功耗低、动态范围宽、易于集成、无二次击穿现象、安全工作区域大等优点，现已成为功能强大的双极晶体管、功率晶体管竞争者。

　　一、超致MOS管中的寄生二极管

　　MOS管内部有一个二极管标识，但这是MOS管的体二极管，也叫寄生二极管。这存在于单个 MOS 管器件中，但不存在于集成电路光刻中。可起到反向保护和续流作用。正向电压降通常约为 0.7 至 1V。由于此二极管的存在，MOS 器件不能简单地视为电路中的开关。例如，在充电电路中，在充电完成并移除电源后，电池会反向向外界供电，这通常是不希望的结果。一种常见的解决方案是在背面添加一个二极管以防止反向功率传输。这是可能的，但二极管的特性要求正向压降为 0.6 至 1V。对于大电流，会在产生热量的同时产生能量。它被浪费了，使整台机器的能源效率降低。另一种方法是背靠背添加MOS管，利用MOS管的低导通电阻来达到节能的目的。此功能的另一个常见应用是低压同步整流。

　　二、超致MOS管的寄生电容

　　超致MOS管栅极通过金属氧化物与衬底形成电容，这称为寄生电容。 超致MOS管质量越高，金属膜越薄，寄生电容越大。 MOS管常见的寄生电容在nF量级。该参数是MOS管选型中很重要的参数之一，应明确考虑。

　　那为什么这个寄生电容很重要呢?在用超致MOS管控制大电流的开/关时，往往需要几十kHz到几MHz的开关频率。在该应用中，栅极信号具有交流特性。频率越高，交流分量和寄生电容就越高。通过以交流电的形式通过电流可以形成栅极电流。功耗和发热问题不容忽视，成为大问题。追求高速需要强大的栅极驱动，这就是原因。想象一个微弱的驱动信号立即变为高电平。然而，“填充”寄生电容需要时间，会减慢上升沿，并对开关频率构成重大威胁，直至其失效。 .

　　三、超致MOS管过热的原因

　　超致MOS管发热的主要原因之一是寄生电容在频繁循环开关时表现出交流特性，具有阻抗和整形电流。有电流就会发热，没有电场就没有电流。另一个原因是当栅极电压缓慢增加时，ON 状态需要“通过”一个从 OFF 到 ON 的临界点。此时，导通电阻较大，发热比较强烈。第三个原因是导通后通道内有电阻，电流过大产生热量。主要的热量考虑因素是第 1 点和第 3 点。许多MOS晶体管具有高结温保护。结温是金属氧化物下方沟道区的温度，通常为150摄氏度。超过这个温度，MOS管就不能导通了。当温度下降时恢复活力。请注意此保护状态的后果。重要的对策是加散热片，布线时也要考虑散热问题。同时，在选择机型时要注意以上参数。

　　四、如何区分超感应超致MOS管管脚

　　上面我们提到了寄生二极管，这个二极管可以用来确定管脚。使用万用表二极管齿轮测试三个引脚中的每一个。如果发现其中一个引脚和另外两个引脚无法检测到二极管，则此引脚为门控 GATE。如果可以测试二极管的压降，则可以根据MOS的N型和P型来确定源漏。

　　五、超致MOS管选择要慎重

　　1. VDSS（故障电压）：该电压应适当地选择，通常是求和电压值的峰值的两倍。

　　2、VGS(th)（开启电压）：NMOS的情况下，Vgs超过一定值时开启，所以适合源极接地（低边驱动）时。 PMOS 在 Vgs 下降到一定值以下时开启，因此适合将源极连接到 VCC（高端驱动）。

　　3. RDS(on)（漏源电阻）：该值应保持尽可能低，因为太大的电阻会增加功耗。并且当功耗增加时，温度升高会加速。

　　4、ID(on-current)：请注意这个电流值一般是在散热充分的条件下测得的，是实验室条件下的参数值。一般来说，如果MOS管散热不好，这些限制参数就会大大降低。

　　六、总结

　　总之，要想安全稳定地使用超致MOS管，除了以上几点，还有很多需要注意的地方，还有各种安全措施。广大电子爱好者、电子行业从业人员及有经验技术人员应根据实际情况，采取切实措施，安全有效地使用超致MOS管。