电子、电器、家电产品生产制造时，需要用到很多不同类型的电子元件，如新洁能MOS管、电阻、DC-DC电源芯片等，每种电子元件都有它不同的功能作用，当然，这些电子元件用久了，也避免不了会有一些问题，今天来聊聊其中一种电子元件，接下来看看新洁能MOS管为什么会发热，有哪些什么原因。

　　1、减少使用频率

　　这也是用户在调试过程中常见的现象。频率下降主要是由两个方面造成的。输入电压与负载电压之比小，系统干扰大。对于前一种情况，负载电压越高，效率越高，但要注意负载电压不要设置得太高。如果是后者，您可以尝试以下方法：a、将小电流设置得较小。b、更清晰地布置关键路径，尤其是对于意义而言。c、选择较小的电感器或使用具有闭合磁路的电感器。d、添加 RC 低通滤波器，这个效果有点不好，C、的一致性不好，偏差有点大，但是对于打光来说已经足够好了。无论如何，降低频率没有好处，只有坏处，所以这个问题需要解决。

　　2、芯片发热

　　内置功率调制器的高压驱动芯片，如果芯片消耗的电流为2mA，给芯片施加300V的电压，则芯片的功耗为0.6W，芯片自然会发热。驱动芯片的大电流由驱动功率MOS管的功耗决定。简单的计算公式是I=cvf。考虑到充电带来的电阻的好处，实际I=2cvf。其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管的电导率。由于栅极电压开启，我们需要想办法降低c、v、f来降低芯片的功耗。如果c、v、f无法改变，就想办法将芯片的功耗分配给片外设备，注意不要产生额外的功耗。简单来说，就是考虑改善散热。

　　3、电感或变压器的选择

　　同样的驱动电路，用A制作的电感还好，但用B制作的电感电流较小。在这种情况下，请查看电感电流波形。有些工程师没有意识到这种现象，直接调整检测电阻或工作频率来达到所需的电流，这会严重影响 LED 的使用寿命。因此，设计前需要进行合理的计算。如果理论计算参数与调试参数相差较大，应考虑是否降低频率以及变压器是否饱和。当变压器饱和时，L变小，由于传输延迟导致的峰值电流增加迅速增加，LED峰值电流相应增加。假设平均电流保持不变，可以简单地观察光衰。

　　4、功率管发热

　　功率管的功耗可分为两部分：开关损耗和导通损耗。请注意，在大多数情况下，尤其是在 LED 电源供电应用中，开关损坏远大于传导损耗。开关损耗不仅与芯片的驱动能力和工作频率有关，还与功率管的CGD和CGS有关。因此，功率管发热可以从以下几个角度来解决。A、MOS功率管内阻越小，CGS和CGD电容越大，因此不能仅根据单侧导通电阻来选择MOS功率管，这就是您选择功率管时所需要的。B.剩下的是频率和芯片驱动能力。我们在这里只讨论频率效应。频率也与传导损耗成正比，所以如果你的功率管发热，你首先应该考虑你的频率选择是否太高。想办法降低频率！ 然而，随着频率的降低，峰值电流会增加，或者为了获得相同的负载能力而需要加大电感器，因此需要注意电感器可能会进入饱和区。如果电感的饱和电流足够高，可以考虑从CCM（连续电流模式）改为DCM（断续电流模式），这需要增加负载电容。

　　综上所述，可以了解到新洁能MOS管发热的原因有4个，有芯片发热、功率管发热、减少使用频率、电感方面的原因 。