超致MOS管这种产品，不是这个领域的听上去有点陌生，在做电源、通讯、汽车电子等领域使用，那接下来带你从原上了解超致MOS管，MOS管的英文全称为MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），即金属氧化物半导体场效应晶体管，属于场效应晶体管的绝缘栅型。因此，MOS晶体管有时被称为绝缘栅FET。在一般电子电路中，MOS管通常用于放大电路或开关电路。

　　一、MOS管的结构

　　在低掺杂浓度的p型半导体硅衬底上，通过半导体光刻和扩散工艺制造两个高掺杂浓度的n+区，两个电极分别以金属铝作为漏极D和源极s引出。然后，在漏极和源极之间的p型半导体表面上覆盖薄二氧化硅（Si02）绝缘层膜，并在绝缘层膜上安装铝电极作为栅极G。这构成了n沟道（NPN型）增强MOS晶体管。显然，其栅极与其他电极绝缘。A和B分别是其结构图和代表符号。

　　使用与上述相同的方法，在低掺杂浓度的n型半导体硅衬底上通过半导体光刻和扩散工艺，以及与上述相同的栅极制造工艺，制备了两个高掺杂浓度的p+区，制备了p沟道（PNP型）增强MOS晶体管。显示了n沟道和p沟道MOS管的结构图和代表符号。

　　二、MOS管的工作原理

　　在增强型MOS管的漏D和源s之间有两个背靠背PN结。当栅极源极电压vgs=0时，即使有漏源极电压VDS，在反向偏置状态下也一直存在PN结，并且漏极和源极之间没有导电通道（没有电流流动），因此此时漏电流id=0。

　　这时，如果在栅极和源极之间施加正向电压，即vgs>；0时，在栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中产生电场，栅极指向p型硅衬底。由于氧化层是绝缘的，电网施加的电压VG不能形成电流，并且在氧化层的两侧形成电容器。VGS相当于对该电容器充电并形成电场。随着VG逐渐增加，它被栅极的正电压吸引，在电容器的另一侧，大量电子聚集并形成从漏极到源极的n型导电通道。当VGS大于管的开路电压Vt（通常约2V）时，n通道管开始传导并形成漏电流ID。当通道开始形成开路电压时，我们称之为栅极源极电压，通常用Vt表示，控制栅极电压VGS的大小会改变电场的强度，这可以达到控制漏电流ID大小的目的。这也是利用电场控制电流的MOS管的一个重要特性，因此也称为场效应管。

　　三、MOS管引脚测量

　　栅极g测量：使用万用表r&；次数；在100档，测量任意两个针脚之间的正向和反向电阻。如果一次测量的电阻为数百Ω），则两个引脚为D和s，第三个引脚为g 。

　　漏极D、源s和类型确定：使用万用表r&；次数；测量10KΩ档位D和s的正负电阻，正电阻约为0.2安培；次数；10KΩ，反向电阻（5-1∞) x100kΩ。测量反向电阻时，红色导线不移动，黑色导线与触针分离，接触g，然后返回到原始触针。有两种情况：

　　A、如果读数从原来的较大值变为0（0×10KΩ），则红色探针连接到s，黑色探针为d、用黑色探针接触g是有效的，因此MOS管d和s之间的正向和反向电阻值为0Ω，这也可以证明管子是一个n通道。

　　B、如果读数仍然很大，而黑色探针没有移动，则使用红色探针接触g，触摸后立即返回到原始脚。此时，如果读数为0Ω，则黑色探针连接到S极，红色探针连接到D极。将G极与红色探针接触是有效的，并且MOS管是P通道。

　　G极，不用说，很容易识别；

　　S极，无论是P通道还是n通道，都是两条线相交的地方；

　　D极，无论是P通道还是n通道，都是独立引线的一侧。通常，散热器与漏极相连；

　　确定电网G：将万用表转到r&；时代；1K档，将万用表负极连接到任何电极上，另一支表笔依次接触其他两极以测量其电阻。如果两个测量的电阻值大致相等，则负极探针接触栅极，其他两个电极为漏极和源极。排水管和水源互换。如果两次测量的电阻较大，则为n通道；如果两次测量的电阻值很小，则为P通道。

　　判断源S和漏D：源和漏之间存在PN结，因此根据PN结正向和反向电阻之间的差异，可以识别s和D极。使用交换探针法测量两次电阻，其中电阻值低（通常为数千欧姆至数万欧姆）的电阻为正电阻。此时，黑色探针是S极，红色探针连接到D极。

　　四、如何快速判断MOS管

　　1、的质量和引脚性能。使用10K齿轮，内部配有15伏电池。可以提供传导电压。

　　2、由于栅极相当于电容器，并且没有连接到任何引脚，因此很容易找到栅极，无论是n管还是P管，否则它是一个坏管。

　　3、使用探针正向或反向对栅极源充电，这可以使漏极源打开或关闭。因为栅极上的电荷可以保持，上述两个步骤可以按顺序划分，不同步，也不方便。然而，放电时有必要将引脚短路或反向充电。

　　4、大多数源极和漏极都有反并联二极管，这应该引起注意并帮助判断。

　　5、当大多数二极管面对文字时，左侧电网泄漏右侧电源。以上前三点需要掌握，后两点可以灵活使用，以便快速判断引脚。

　　综合以上内容，对超致MOS管这个产品，相信很多人有了一个大概的了解。